арт 664734533

IRF640NSPBF - це польовий транзистор (MOSFET) в корпусі TO-263. Цей транзистор виготовляється фірмою Infineon Technologies і призначений для використання в різних електронних пристроях та додатках.

Основні характеристики IRF640NSPBF включають в себе:

• Тип MOSFET: Це N-канальний MOSFET, що означає, що він контролює струм між дреном та джерелом, коли на затворі подається відповідний сигнал.
• Напруга затвор-витік (Vds): Ця характеристика вказує на максимальну напругу, яку може витримати транзистор між затвором і витіком без пробою. Для цієї моделі транзистора вона складає 200В.
• Струм стоку (Id): Це максимальний струм, який може протікати від джерела до стоку через транзистор при певних умовах. Дані транзистори мають струм на рівні 18А.
• Опір стану насичення (Rds(on)): Це опір, який має транзистор в стані насичення, коли він повністю відкритий. Цей параметр важливий для вимірювання втрат потужності в транзисторі під час його роботи. Для IRF640NSPBF Rds(on) = 150 мОм.
• Тип корпусу: IRF640NSPBF має корпус TO-263-3 (D2PAK або TO-263AB), який дозволяє легко підключати його до печатних плат.

Цей MOSFET може бути використаний в різних схемах та додатках, включаючи інвертори, блоки живлення, електронні комутатори і багато інших пристроїв. Його характеристики можуть бути важливими для визначення його сумісності з конкретним додатком.